濕法清洗和干法plasma清洗2種蝕刻方式優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比較：
        濕法清洗系統(tǒng)，適用于先進(jìn)的無(wú)損兆聲清洗，可用于加工制造易損壞帶或無(wú)圖案的基板，包括帶保護(hù)膜的模板。為了保證基片不受損傷，達(dá)到良好的清潔效果，必須保持兆聲能量密度略低于樣片上任意位置的損傷閾值。濕法刻蝕技術(shù)使基片表面聲波能量均勻分布，提升了分布能量以支持理想清洗，并保證在樣片損傷閾值范圍內(nèi)。該系統(tǒng)具有重復(fù)性高，均勻度好，Z級(jí)先進(jìn)的兆聲清洗功能，兆聲輔助下的光刻膠剝離和濕法刻蝕功能。本產(chǎn)品可按工藝步驟進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)、化學(xué)試劑清洗、刷子清洗、干燥等。
2種濕式和干式plasma清洗方式優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比比較：

      濕法蝕刻系統(tǒng)是通過(guò)化學(xué)蝕刻液與被蝕刻物之間的化學(xué)反應(yīng)使其剝落的一種蝕刻方式。濕法蝕刻多為各向同性蝕刻，不易控制。
特點(diǎn)：適應(yīng)性強(qiáng)，表面均勻，對(duì)硅片的損傷小，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
缺點(diǎn)：繪圖質(zhì)量不理想，繪圖中的小線難以把握。
干法蝕刻系統(tǒng)的蝕刻介質(zhì)是等離子體，它是利用等離子體與表面膜反應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊膜表面使其蝕刻的過(guò)程。
特征性：能實(shí)現(xiàn)各向異性蝕刻，以保證細(xì)節(jié)轉(zhuǎn)換后圖像的保真性。
缺點(diǎn)：成本一般，且用于微流控芯片的制備較少。
       干式plasma清洗系統(tǒng)包括：用于容置電漿用的空腔；空腔上方的石英盤；石英盤上方的多個(gè)磁體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，它帶動(dòng)多個(gè)磁體旋轉(zhuǎn)，其中多個(gè)磁體產(chǎn)生與該磁體一起旋轉(zhuǎn)的磁場(chǎng)。通過(guò)進(jìn)一步提高粒子的碰撞頻率，可以獲得佳的電漿均勻性，提高等離子濃度。